[5p-A411-1~13] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[5p-A411-9] 耐放射線性FEA撮像素子用CdZnTe光電変換膜の作製

〇猪狩 朋也¹、岡本 保¹、増澤 智昭²、根尾 陽一郎²、三村 秀典² (1.木更津高専、2.静岡大学)

キーワード：CdZnTe、近接昇華法

東日本大震災に伴う福島第一原子力発電所事故以来，原子炉内部の状態を的確に把握するため，高い放射線耐性を有した小型撮像素子の開発が急務となっている．本研究では小型撮像素子としてFEA撮像素子を提案し，その要素技術であるCdTe光電変換膜のイメージセンサとしての構造の最適化を行っている．今回，CdTe光電変換膜の暗電流低減のため，CdTeにZnを添加したCdZnTe膜の作製を行ったので報告する．