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[5p-A502-10] トポロジカル物質候補CaAgX (X = As, P)の薄膜作製と伝導特性の評価
キーワード:トポロジカル物質
本研究では、トポロジカル物質の候補として最近注目を集めているCaAgX (X = As, P)について、分子線エピタキシー法による薄膜作製に取り組んだ。成膜条件の最適化により、CaAgAs, CaAgP共に単相薄膜を得ることに成功した。CaAgAsは金属的挙動を示し、低温域において弱反局在効果に起因する正の磁気抵抗が観測された。講演では、各試料の成膜条件について報告するとともに、CaAgAs、CaAgPのみならず混晶系CaAg(As,P)の伝導特性についても議論する予定である。