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[5p-C13-13] Multi-bit operations in nonvolatile molecular memory by control of stoichiometric ratio of KxC60
Keywords:molecular memory, Fullerene, Multi-bit operation
これまで我々は, 金属電極間にカリウム原子(K)層とC60薄膜を積層したヘテロ接合(上部金属電極/C60薄膜/K層/下部金属電極)が抵抗変化型不揮発メモリとして機能することを示してきた. 本研究では, この素子が, KxC60の化学量論比xを能動制御することで, 記録情報の多値化が可能であることを見出したので報告する.