[5p-C17-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [5p-C17-8] Sub-bandgap optical absorption due to Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes

〇Takuya Maeda¹, Tetsuo Narita^2,3, Masakazu Kanechika², Tsutomu Uesugi², Tetsu Kachi³, Tsunenobu Kimoto¹, Masahiro Horita¹, Jun Suda^1,3,4 (1.Kyoto Univ., 2.TOYOTA Central R&D Labs., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN p-n junction diode, Franz-Keldysh effect, photocurrent

GaN p-n接合ダイオードに波長400–420 nmの単色光を照射し，光電流の逆バイアス電圧依存性を測定した．逆バイアス電圧増加につれて光電流の急増が見られ，この時，照射光波長が短いほど光電流急増が顕著となった．我々は，この光電流の急増がFranz-Keldysh (FK)効果による光吸収に起因すると考えた．FK効果による光吸収の理論に基づき，GaNの有効質量を用いて空乏層中での光吸収を求めて光電流を計算したところ，実験値と計算値は非常によく一致した．