[5p-C18-1~7] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[5p-C18-2] Co/Pd多層膜における光誘起歳差運動の基板と堆積法による差異

〇小川 竣太¹、西林 一彦¹、西沢 望¹、宗片 比呂夫¹ (1.東工大未来研)

キーワード：Co/Pd多層膜、光誘起歳差運動

GaAs(001)基板とSi(110)基板を用いて、基板によるCo/Pd多層膜の光誘起磁化歳差運動への影響を調べた。また、RF法とDC法の違いを調べたので報告する。RF/DC両堆積法において、Si基板よりもGaAs基板上のCo/Pd多層膜における歳差運動の振幅が大きくなった。これは基板の違いがPd/Taシード層に歪等の影響を及ぼしている可能性を示している。 また、DC法よりもRF法の方が相対的に大きな歳差運動の振幅が得られると予想される。