[5p-C21-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[5p-C21-10] Strain-compensated InGaAs(Sb)/InGaAs(Sb) MQW for 2 μm wavelength

〇Manabu Mitsuhara¹, Yoshitaka Ohiso¹ (1.NTT Device Technology Labs.)

Keywords:Strain-compensated MQW, InGaAsSb, InP

2 μm帯レーザの活性層には、InP上の歪InGaAs-MQW構造が用いられる。
歪補償により井戸層数を増加すれば、受光器に応用できる。しかし、歪InGaAsでは、
歪補償により顕著に膜質が劣化する。今回、歪補償MQW構造で、InGaAsに換えて
InGaAsSbを用いることで良好な結晶性を維持した成長が可能なことを明らかにし、
井戸層数を増加させた構造で2 μm以上の波長光を吸収できることを示した。