[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-13] Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構

〇大竹 晃浩¹、後藤 俊治²、中村 淳² (1.物材機構、2.電通大)

キーワード：表面再構成、パッシベーション、III-V族化合物半導体

Se処理したGaAs(111)B-(1x1)表面の原子配列をRHEED、XPS、STMによって決定し、その安定性を第一原理計算によって評価した。(111)B理想表面の最外層において3/4MLのAsをSeが置き換えることによって表面が安定化することが明らかとなった。