[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-11] 単層カーボンナノチューブにおけるX線誘起欠陥生成における照射前アニールの影響

〇橋本 翔平¹、松山 美聡²、伊東 千尋² (1.和大院システム工、2.和大システム工)

キーワード：カーボンナノチューブ、X線

カーボンナノチューブ（CNT）は優れた物性を持つが、デバイス材料として利用するにはCNTの電子状態を制御することが肝要である。CNTは構造と電子状態が密接な関係を持つため、欠陥導入等により構造を変化させると、電子状態を変えることができる。X線照射欠陥生成はCNTのこのような特性を利用して電子状態制御を行う方法として検討されている。この方法は電子状態変化の明確化、メカニズムの解明や欠陥量の制御など多くの課題を残している。これまでの研究でCNTに対してX線照射前にアニールすると、欠陥収量が増大することが明らかになっている。今回はアニール条件によるX線誘起欠陥生成収量を測定した。