[5p-PA1-1~82] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[5p-PA1-25] Control of stacking structure of bilayer graphene grown by CVD

〇Yuri Terao¹, Kenji Kawahara², Seigi Mizuno¹, Hiroki Hibino³, Hiroki Ago^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.Global innovation center, 3.Kwansei gakuin Univ.)

Keywords:graphene, CVD, bernal stacking

AB積層した二層グラフェンは垂直電場を印加することでバンドギャップを開くことができ、エレクトロニクスへの応用が期待されていることから、AB積層した二層グラフェンの大面積での合成が求められている。本研究では、Cu-Ni(111)合金等を触媒に用いてCVD法により二層グラフェンを合成し、積層構造の制御について検討した。触媒の組成比が積層構造に影響することが分かり、Ni濃度を10%にすると、90%がAB積層した二層ドメインが得られた。