[5p-PA1-1~82] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

△ [5p-PA1-32] Growth of Boron-doped Graphene byThermal Decomposition of B₄C Thin Film

〇(M2)Nao Takata¹, Norimatsu Wataru¹, Takahiro Ito², Michiko Kusunoki³ (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. SR., 3.Nagoya Univ. IMaSS.)

Keywords:graphene, boron carbide, boron doped graphene

本研究では、B₄Cの熱分解によって形成するホウ素ドープグラフェンの大面積作製と特性評価を試みた。まず、パルスレーザー堆積（PLD）法を用いてSiC基板上に広範囲にわたってB₄C薄膜をエピタキシャル成長させた。これを大気圧Ar雰囲気中で加熱して、B₄C薄膜の表面にグラフェンを形成させた。試料は透過型電子顕微鏡（TEM）を用いて観察した。当日はこのグラフェンの構造や電気特性の評価についても報告する。