2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン(ポスター)

2017年9月5日(火) 13:30 〜 15:30 PA1 (国際センター1F)

13:30 〜 15:30

[5p-PA1-32] B4C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの作製

〇(M2)高田 奈央1、乗松 航1、伊藤 孝寛2、楠 美智子3 (1.名大院工、2.名大シンクロトロン、3.名大未来)

キーワード:グラフェン、炭化ホウ素、ホウ素ドープグラフェン

本研究では、B4Cの熱分解によって形成するホウ素ドープグラフェンの大面積作製と特性評価を試みた。まず、パルスレーザー堆積(PLD)法を用いてSiC基板上に広範囲にわたってB4C薄膜をエピタキシャル成長させた。これを大気圧Ar雰囲気中で加熱して、B4C薄膜の表面にグラフェンを形成させた。試料は透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて観察した。当日はこのグラフェンの構造や電気特性の評価についても報告する。