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△ [5p-PA1-32] B4C薄膜の熱分解によるホウ素ドープグラフェンの作製
キーワード:グラフェン、炭化ホウ素、ホウ素ドープグラフェン
本研究では、B4Cの熱分解によって形成するホウ素ドープグラフェンの大面積作製と特性評価を試みた。まず、パルスレーザー堆積(PLD)法を用いてSiC基板上に広範囲にわたってB4C薄膜をエピタキシャル成長させた。これを大気圧Ar雰囲気中で加熱して、B4C薄膜の表面にグラフェンを形成させた。試料は透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて観察した。当日はこのグラフェンの構造や電気特性の評価についても報告する。