[5p-PA1-1~82] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[5p-PA1-46] Atomic arrangement dependence of electronic transport in h-BCN channel FET

〇Hiroto Shozude¹, Matsuto Ogawa¹, Satofumi Souma¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:Graphene, h-BCN, electronic transportin

近年グラフェンが電子移動度の高さからFETのチャネル材料として注目されているが、バンドギャップがないため電流のスイッチングできないという欠点がある。これに対する解決策として、グラフェン状物質のh-BCNにより適度なバンドギャップを作り出す事が期待されている。そこでh-BCNをチャネル材料としたFETの特性を明らかにすることを目的とし、強束縛近似法を用いたシミュレーションを行った結果、原子配置のパターンに依存して異なる電流値が得られたことを報告する。