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[5p-PA1-53] グラフェンの電気化学特性と状態密度の相関
キーワード:グラフェン、電気化学特性、状態密度
グラフェンの状態密度と電気化学特性の相関を調べるためにバックゲート印加下でサイクリックボルタンメトリー測定を行った。SiO2膜厚300 nmのSiO2/Si基板上に転写した単層CVDグラフェンへのバックゲート印加により、状態密度が減少する方向にフェルミ準位を変化させたところ、電子移動反応速度が低下した。これは、グラフェンの電気化学特性が状態密度に依存していることを実験的に示した結果であると考えている。