[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-60] トンネルFET応用に向けた二次元半導体によるヘテロ構造体の合成

〇泉本 征憲¹、Adha Sukuma Aji¹、河原 憲治²、山本 圭介¹、中島 寛^1,2、吾郷 浩樹^1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC)

キーワード：トンネルFET、二次元物質、遷移金属カルコゲナイド

近年、大幅に消費電力を低減することができるトンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）が注目を集めており、その材料として優れた物性を有する遷移金属カルコゲナイドなどの二次元半導体が期待されている。トンネルFET応用のためにはp型とn型半導体が必要であり、本研究ではp型の硫化スズ(SnS)とn型の二硫化タングステン(WS₂)をそれぞれ合成した。また、それぞれを組み合わせたヘテロ構造体を合成した。