[5p-PA1-1~82] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[5p-PA1-60] Synthesis of 2D semiconductor heterostructures for the application to tunnel FET

〇Masanori Izumoto¹, Adha Sukuma Aji¹, Kenji Kawahara², Keisuke Yamamoto¹, Hiroshi Nakashima^1,2, Hiroki Ago^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.Kyushu Univ. GIC)

Keywords:tunnel FET, 2D material, transition metal chalcogenide

近年、大幅に消費電力を低減することができるトンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）が注目を集めており、その材料として優れた物性を有する遷移金属カルコゲナイドなどの二次元半導体が期待されている。トンネルFET応用のためにはp型とn型半導体が必要であり、本研究ではp型の硫化スズ(SnS)とn型の二硫化タングステン(WS₂)をそれぞれ合成した。また、それぞれを組み合わせたヘテロ構造体を合成した。