[5p-PA1-1~82] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[5p-PA1-71] Operation characteristics of arsenic-doped MoSe₂ FET

〇Shuuto Horii¹, Keiji ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered material, molybdenum diselenide, doping

現在，半導体素子は主にシリコンが材料として使われているが，その微細化には限界があると考えられている。そこで，層状遷移金属ダイカルコゲナイド等の層状物質がポストシリコン材料として注目を集めている。本研究では二セレン化モリブデン(MoSe₂)にヒ素(As)をドープした試料について電界効果トランジスタ(FET)応用を試み，その動作特性を調べた。その結果，Pt電極を形成したFETについて明確なp型動作が確認された。