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[5p-PA1-80] MoS2フォトトランジスタの光応答特性に対するAl2O3バッファ層の効果
キーワード:二硫化モリブデン、フォトトランジスタ
絶縁層としてSiO2を用いたMoS2電界効果トランジスタ(FET)では光照射後に光電流が維持されるPersistent photocurrent (PPC)が報告されている。これは、SiO2/MoS2界面のキャリア蓄積によるものであると考えられている。また、光誘起した電荷蓄積により光感度が見かけ上、向上する。一方で電荷蓄積は光応答時定数の著しい低下を招く。そこで電荷蓄積による影響を抑えるために本研究では、SiO2層上にバッファ層としてAl2O3を挿入したMoS2-FETの光応答速度について検討した。