[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-80] MoS₂フォトトランジスタの光応答特性に対するAl₂O₃バッファ層の効果

〇宮本 悠雅¹、吉川 大貴¹、竹井 邦晴¹、有江 隆之¹、秋田 成司¹ (1.大阪府大工)

キーワード：二硫化モリブデン、フォトトランジスタ

絶縁層としてSiO₂を用いたMoS₂電界効果トランジスタ(FET)では光照射後に光電流が維持されるPersistent photocurrent (PPC)が報告されている。これは、SiO₂/MoS₂界面のキャリア蓄積によるものであると考えられている。また、光誘起した電荷蓄積により光感度が見かけ上、向上する。一方で電荷蓄積は光応答時定数の著しい低下を招く。そこで電荷蓄積による影響を抑えるために本研究では、SiO₂層上にバッファ層としてAl₂O₃を挿入したMoS₂-FETの光応答速度について検討した。