[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-82] ラフェン／MoS₂ van der Waalsヘテロ接合におけるガス吸着誘起電流変化のバイアスおよびゲート電圧依存性

〇田畑 博史¹、佐藤 雄太¹、大井 皓平¹、久保 理¹、片山 光浩¹ (1.阪大院工)

キーワード：グラフェン、MoS2、ヘテロ接合

グラフェン／MoS₂vdWヘテロ接合界面を流れる電流はNO₂ガス分子の吸着によって著しく減少する。この電流変化の割合は、バイアス電圧やゲート電圧に強く依存する。本研究では、MoS₂にコンタクトされたグラフェンおよびTi電極の両界面に形成される2つのショットキー障壁を考慮したMSMモデルに基づき、ガス曝露前後のデバイス特性について解析を行い、この原因を考察した。