[5p-PA3-1~46] 12.5 有機太陽電池

[5p-PA3-6] 蓄積電荷測定法による金属/P3HT界面の電荷注入障壁測定

〇中谷 比沙希¹、安川 直人¹、角屋 智史¹、山田 順一¹、佐藤 井一¹、田島 裕之¹ (1.兵庫県大院物質理)

キーワード：有機半導体デバイス、電荷注入障壁

我々が最近報告した、電極/絶縁体/有機半導体/電極の構造を持つ素子を用いた蓄積電荷測定法(ACM)を用いて各種アニール条件でのP3HTと金属(Ag,Cu)との電荷注入障壁を求めた。注入電荷量⊿QとP3HT層に印加された電圧V_iをプロットした。すると、P3HT(pristine)/Agの接合界面はSchottky接合であったが、P3HT(N₂ anneal 10min)/Agの接合界面はOhmic接合となり、結果が異なった。これは、高分子の有効共役長がアニールにより伸びてバンド幅が広がったからだと考えられる。