[5p-PB1-1~13] 3.13 半導体光デバイス

[5p-PB1-2] 中赤外光センシングデバイスに向けた InAs 基板上格子整合 InAs/GaAsSb Type-Ⅱ超格子の MOVPE 成長

〇高橋 翔¹、藤原 由生¹、山形 勇也¹、吉本 圭太¹、井上 裕貴¹、若城 玲亮¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：超格子、光センシング、MOVPE

有機金属気相成長(MOVPE)法を用いて、InAs基板上に30ペアのInAs/GaAsS超格子を作製し、その格子整合性を検討するとともに光学特性評価を行った。X線回析(XRD)によるフィッテイングから、GaAsSb層成長時にAsH₃流量を変化させることで、格子整合する条件を見出した。また、フォトルミネンス(PL)評価によって4μmにおける明瞭な発光を確認することが出来た。