[5p-PB1-1~13] 3.13 半導体光デバイス

[5p-PB1-8] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザ閾値電流密度共振器長依存性

〇(M2)鎌田 直樹¹、大貫 雄也¹、韓 旭¹、Periyanayagam Gandhi Kallarasan¹、相川 政輝¹、内田 和希¹、杉山 滉一¹、早坂 夏樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザダイオード、インジウムリンシリコン、直接貼付

シリコンフォトニクスの実現へ向け、我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に接合したInP/Si基板を作製し、その基板上にMOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．今回、InP/Si基板上において1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの集積を行い、電流注入による発振特性，共振器長に関する評価を行ったのでその結果を報告する