[5p-PB3-1~26] 16.3 シリコン系太陽電池

[5p-PB3-19] 霧化塗布法によるNafionミストの塗布形態の診断とSi表面終端化

〇黒木 宇紀¹、Hossain Jaker¹、石川 良¹、白井 肇¹ (1.埼玉大理工研)

キーワード：Si 太陽電池

前回までにテクスチャーSi上の帯電ミストを利用したPEDOT：PSSおよびMoO_xの霧化塗布法により従来のスピンコートに比較して密着性に優れた均一製膜が可能で、n-Si/PEDOT:PSS太陽電池の開放電圧の向上に有効であることを報告した。特に帯電ミストは基板直上に設けたメッシュ電極と基板間に印加する直流バイアスV_sで基板上への輸送速度、平均粒径の微細化が可能である。今回はSi表面終端化部材として各種溶媒によるNafion製膜とSi終端化状態をライフタイム計測およびFTIRで評価した結果を報告する。