[5p-PB3-1~26] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[5p-PB3-26] Potential-induced degradation behavior of n-type rear-emitter c-Si-wafer-based photovoltaic modules pre-stressed in damp-heat tests

〇Yutaka Komatsu¹, Seira Yamaguchi¹, Atsushi Masuda², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:potential-induced degradation, n-type crystalline silicon solar cell, module

n型リアエミッターc-Si太陽電池モジュールにおいて，事前の高温高湿(DH)試験が後のPID挙動に与える影響を調査した．DH試験後に−1000 Vの PID試験を行うと， J_scが徐々に低下する．これはDH試験なしの−1000 Vの PID試験では見られない劣化挙動である．この原因として，V_ocの低減を伴わないことから，DH試験後のPID試験により，EVAまたは前面のSiN_x膜が光学損失を起こしている可能性が考えられる．