[5p-PB3-1~26] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[5p-PB3-3] a-Si/c-Si heterojunction solar cells using counter doping by plasma ion implantation

〇Koichi Koyama¹, Noboru Yamaguchi², Daisuke Hironiwa², Hideo Suzuki², Keisuke Ohdaira¹, Hideki Matsumura¹ (1.JAIST, 2.ULVAC)

Keywords:Plasma ion implantation, Heterojunction solar cells, Counter doping

アモルファス・シリコン(a-Si)/結晶シリコン(c-Si)ヘテロ接合裏面電極型太陽電池を廉価に製造するため、非質量分離型プラズマ・イオン注入装置を用い、p-a-Si の一部をn層に反転させることを試みている。これまで、PH₃イオン注入をp-a-Si/i-a-Si積層膜へ行い、250^oCの低温熱処理によって、キャリャ寿命がイオン注入前の値に戻り、また、p-typeからn-typeへと反転している条件を見出している。そこで、このPイオン注入によるp-a-Si層の反転を、実際の太陽電池で確認することを試みた。