[5p-PB3-1~26] 16.3 シリコン系太陽電池

[5p-PB3-3] 非質量分離型イオン注入によりp-a-Siをn-a-Siに反転させて作製したa-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池

〇小山 晃一¹、山口 昇²、廣庭 大輔²、鈴木 英夫²、大平 圭介¹、松村 英樹¹ (1.北陸先端大、2.㈱アルバック)

キーワード：プラズマイオン注入、ヘテロ接合太陽電池、カウンタードーピング

アモルファス・シリコン(a-Si)/結晶シリコン(c-Si)ヘテロ接合裏面電極型太陽電池を廉価に製造するため、非質量分離型プラズマ・イオン注入装置を用い、p-a-Si の一部をn層に反転させることを試みている。これまで、PH₃イオン注入をp-a-Si/i-a-Si積層膜へ行い、250^oCの低温熱処理によって、キャリャ寿命がイオン注入前の値に戻り、また、p-typeからn-typeへと反転している条件を見出している。そこで、このPイオン注入によるp-a-Si層の反転を、実際の太陽電池で確認することを試みた。