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[5p-PB3-4] SiNx/c-Si/a-Si構造のパッシベーション性能へのFLAの影響
キーワード:パッシベーション、フラッシュランプアニール
FLAでSiNx/c-Si界面の特性を改善する検討において、HBCセルで裏面に使用されるa-Si膜への影響について調査した。Cat-CVD法でSiNx/c-Si/a-Si構造を作製後、SiNx側からFLAを行ったところ、FLA回数を増加させても、少数キャリア寿命の低下が見られなかった。このことから、a-Si/c-Si界面の劣化がなかったことを確認した。また、パルス強度が高い条件において、少数キャリア寿命の増大が確認された。これは、既報のSiNx/c-Si界面特性の改善によるものであると考えられる。