[5p-PB3-1~26] 16.3 シリコン系太陽電池

[5p-PB3-5] Cat-CVD で形成した極薄 SiN x 膜のパッシベーション性能

〇(M2)宋 昊¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：Cat-CVD、窒化シリコン

本研究では、触媒化学気相堆積(Cat-CVD)による5 nm 程度の極薄 SiN_x膜のパッシベーション性能と水素処理による改善効果を試みた。5 nm程度SiN_x膜の上に10nm程度のn-a-Siを堆積し、パッシベーション性能を調べた。パッシベーション性能を向上させるため、n-a-Siを堆積する前に水素処理を使用した。屈折率が2.3である SiN_xにおける膜処理時間の増加に伴い、試料のτ_effが増加し、180 s 付近で 300–400 µs 程度の最大値が出現し、その後減少する傾向が確認された。