[5p-PB3-1~26] 16.3 シリコン系太陽電池

[5p-PB3-6] 超高周波インピーダンス解析による高漏れ性パッシベーション膜の評価(2)

〇小島 拓人¹、肥山 卓矢¹、西原 達平¹、中村 京太郎¹、小椋 厚志¹、大下 祥雄² (1.明大理工、2.豊田工大)

キーワード：C-V測定、パッシベーティッドコンタクト、インピーダンス測定

表面パッシベーション技術の成熟により，結晶シリコン太陽電池の高効率化に対する制限要因として電極-シリコン界面に起因するキャリア再結合が顕在化している．そこで電極直下に極薄の誘電体膜を挿入するパッシベーティッドコンタクト構造が注目されている．パッシベーション膜の界面状態密度 や固定電荷 といった特性は電圧-容量測定によって評価されてきたが，大きい漏れ電流をともなう構造では薄膜容量の決定は困難である．我々は1 MHz – 3 GHzの高周波領域におけるインピーダンス解析を行ない，高漏れ性パッシベーション膜の解析を試みている．本講演では，a-Si/c-Si界面の特性解析結果について報告する．