2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2017年9月5日(火) 16:00 〜 18:00 PB8 (国際センター2F)

16:00 〜 18:00

[5p-PB8-1] 4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度

加藤 正史1、小濱 公洋1、Zhang Xinchi1、市村 正也1、木本 恒暢2 (1.名工大、2.京大)

キーワード:表面再結合、a面、キャリアライフタイム

我々はこれまでに4H-SiCのSi面とC面における表面再結合速度Sを評価してきた。しかしながら、デバイス構造によってはSi・C面以外の結晶面が表面として露出される場合があり、デバイスの最適設計にはそれら結晶面のSを知る必要がある。そこで本研究では4H-SiC (11`20) a面におけるSの評価を行い、室温から250℃までの値を得たのでそれを報告する。