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[5p-PB8-1] 4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度
キーワード:表面再結合、a面、キャリアライフタイム
我々はこれまでに4H-SiCのSi面とC面における表面再結合速度Sを評価してきた。しかしながら、デバイス構造によってはSi・C面以外の結晶面が表面として露出される場合があり、デバイスの最適設計にはそれら結晶面のSを知る必要がある。そこで本研究では4H-SiC (11`20) a面におけるSの評価を行い、室温から250℃までの値を得たのでそれを報告する。