[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-11] SiCパワーモジュールのためのメタライズ絶縁基板/ベースプレート構造

〇荒木 祥和¹、山下 真理¹、原 綾音¹、鈴木 達広¹、谷本 智¹、赤津 観² (1.株式会社日産アーク、2.芝浦工大工学部)

キーワード：SiCパワーモジュール、ベースプレート構造

SiC等を用いた次世代半導体パワーモジュール(PM)を電力変換器等に適用するシステムメリットの一つは冷却系の抜本的簡素化である。①伝熱性が高く、②大きな温度変化の繰返しに耐え、③暫時蓄熱性を備え、かつ④PMの製作工程に整合する、PMメタライズ絶縁基板/ベースプレート構造が必要である。これらの要件を満たす構造を検討し、-40℃～200℃冷熱サイクル試験3,000サイクルに耐えるSub/BP構造を得て、これを組み込んだハーフブリッジPMを試作した。