2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.6 超高速・高強度レーザー

[5p-S45-1~17] 3.6 超高速・高強度レーザー

2017年9月5日(火) 13:30 〜 18:00 S45 (第6会議室)

小栗 克弥(NTT)

13:30 〜 13:45

[5p-S45-1] アト秒レーザーパルスによって小さい分子中に励起される電子ダイナミクスの第一原理シミュレーション

〇(M1)寺村 拓磨1、澤田 亮人2、佐藤 健1、石川 顕一1 (1.東大院工、2.NEC)

キーワード:電荷マイグレーション

電荷マイグレーションはイオン化した電子の穴が正孔として分子内を移動する現象で、分子構造の変化や化学反応を駆動すると考えられる。いくつかの分子で観測例が報告されており、理論的には瞬間近似や電子密度分布を用いた議論が行われてきた。イオン化に伴う電子ダイナミクスの第一原理シミュレーションにあたり、中性状態、イオン状態、そして電離電子の重ね合わせ状態として得られる波動関数からイオン状態を抽出する必要がある。本研究では電子の実空間上の位置を元にイオンを定義し、イオンの価数を区別して電子密度分布を計算する手法を考案した。