[5p-S45-1~17] 3.6 超高速・高強度レーザー

[5p-S45-11] サブサイクル中赤外パルスによる個体からの高次高調波発生

〇熊木 文俊^1,2、白井 英登²、野村 雄高^1,2、藤 貴夫^1,2 (1.総研大、2.分子研)

キーワード：高次高調波発生、中赤外パルス

キャリア・エンベロップ位相(CEP)の安定したサブサイクル中赤外パルスをSi結晶に集光し、固体からの高次高調波発生(HHG)をさせた。HHGスペクトルの形は、入射光パルスのCEPによって変化した。そのCEP依存性の要因を調べるために、半導体ブロッホ方程式に基づいた数値シミュレーションを行ったところ、1サイクル以下の時間スケールで発生するHHGについても、半導体ブロッホ方程式でおおむね記述できることが分かった。