[6a-A204-1~10] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[6a-A204-2] Fabrication of light trapping structure by selectively etching thin Si substrates masked a Ge dot layer

〇(M2)Atsushi Hombe¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Seimei Akagi², Yuzo Yamamoto², Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.Settsu seiyu)

Keywords:light trapping structure, solar cell, Ge dot structure

200μm未満の薄型Si基板に単層Geドット構造を結晶成長させ、それをマスクとしてアルカリ系溶液でエッチングすることで光閉じ込め構造を獲得した。本手法により作製された光閉じ込め構造は製造時の削りしろが1μm未満と非常に少なく、かつ長波長領域において入射光の内部吸収率を向上させることがわかった。この結果から本光閉じ込め構造は薄型Si系太陽電池に対して非常に実用的な構造であることが示唆される。