[6a-A204-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

[6a-A204-2] 単層Geドットマスクを用いた選択エッチングによる結晶Si太陽電池用光閉じ込め構造の薄型基板への作製

〇(M2)本部 惇史¹、黒川 康良¹、赤木 成明²、山本 裕三²、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.攝津製油)

キーワード：光閉じ込め構造、太陽電池、Geドット構造

200μm未満の薄型Si基板に単層Geドット構造を結晶成長させ、それをマスクとしてアルカリ系溶液でエッチングすることで光閉じ込め構造を獲得した。本手法により作製された光閉じ込め構造は製造時の削りしろが1μm未満と非常に少なく、かつ長波長領域において入射光の内部吸収率を向上させることがわかった。この結果から本光閉じ込め構造は薄型Si系太陽電池に対して非常に実用的な構造であることが示唆される。