[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-1] タイリング法による接合GaN結晶のウェハプロセス実証

〇吉田 丈洋¹、北村 寿朗¹、大高 健治¹、柴田 真佐知¹ (1.(株)サイオクス)

キーワード：GaN基板、ハイドライド気相成長法