[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-7] [講演奨励賞受賞記念講演] 二光子励起フォトルミネッセンスを用いて観察したGaN中の貫通転位の伝搬特性

〇谷川 智之¹、大西 一生¹、加納 聖也²、向井 孝志²、松岡 隆志¹ (1.東北大金研、2.日亜化学)

キーワード：GaN、貫通転位、多光子励起フォトルミネッセンス

ハイドライド気相成長法（HVPE法）を用いて成長したGaN結晶に対し、二光子励起フォトルミネッセンスにより発光分布の評価を行った。空気／GaNの屈折率差に起因した球面収差により、観察位置が深いほど空間分解能が低下したものの、300 µm膜厚程度のGaN厚膜に対し、貫通転位のイメージングを行うことができた。成長膜厚の増加に伴い暗点密度が減少する性質を示し、この傾向は転位の対消滅モデルとよく一致した。