[6a-A401-1~9] 1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境

[6a-A401-2] InGaP/GaAs 2接合太陽電池を用いた人工光合成の検討

〇(M1)仲村 友希¹、馬場 圭右¹、小野塚 大輝¹、村上 健太¹、根本 拓実¹、依田 龍樹¹、伊藤 友乙¹、本間 洋介¹、安島 由朗¹、寺本 英央¹、定免 良太¹、代 盼²、陆 书龙²、内田 史朗¹ (1.千葉工業大学、2.蘇州ナノテク研)

キーワード：人工光合成、エネルギー変換

InGaP/GaAs2接合太陽電池に助触媒としてPtを成膜し、人工光合成の実験を行ったので報告する。InGaP/GaAs太陽電池において円形の助触媒Ptの直径が平均約60μｍに成膜されたサンプルと平均直径約124μｍに成膜されたサンプルの発生起電流と反射率を測定した。対向電極はPt板、電解液に0.5M KHCO₃を使用した。実験の結果、124μｍの方が反射率が高かったにもかかわらず、発生起電流は大きくなった。助触媒Ptの被覆面積を最適化する必要性が明らかとなった。