[6a-A404-1~11] 13.7 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[6a-A404-1] グラフェン量子ドットにおけるゼロバイアスアノマリーの観測

〇金井 康¹、モハメド アルモクタール^1,2、小野 尭生¹、井上 恒一¹、松本 和彦¹ (1.阪大産研、2.アシュート大学)

キーワード：グラフェン、量子ドット、近藤効果

グラフェン量子ドットを作製したところ、クーロンブロッケード領域においてゼロバイアスアノマリーを検出した。このゼロバイアスアノマリーは近藤効果によって生じた可能性がある。磁場を印加するにつれてゼロバイアスのコンダクタンスピークが弱くなって行くことから、磁場によって量子ドット中のスピン縮退が解けて近藤共鳴準位が弱くなることと一致したが、予想されるよりも弱い磁場でコンダクタンスピークが消失した。