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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[6a-A412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2017年9月6日(水) 09:00 〜 11:45 A412 (412)

川原田洋(早大)、早瀬潤子(慶大)

10:00 〜 10:15

△ [6a-A412-5] ヘテロエピタキシャル核形成技術を用いたナノダイヤモンド中のNVセンター配向制御

〇矢板潤也¹、星野晴華¹、辻赳行¹、岩崎孝之¹、波多野睦子¹ (1.東京工業大学)

キーワード：ダイヤモンド