[6a-A502-1~14] 9.1 誘電材料・誘電体

[6a-A502-1] 面内強誘電BaTiO₃薄膜上に作製したCu/Ni多層膜における垂直磁気異方性

〇(PC)小松 克伊¹、鈴木 一平¹、青木 巧²、濵嵜 容丞¹、安井 伸太郎¹、伊藤 満¹、谷山 智康¹ (1.東工大フロンティア研、2.TDK)

キーワード：強誘電体、マルチフェロイックヘテロ構造、垂直磁気異方性

本研究では、垂直磁化配向を有する磁性多層膜における磁化配向の電界制御を目的として、低抵抗で面内引張歪を上部薄膜に誘起することが可能なBaNb_0.2Ti_0.8O₃を下部電極としてPLD法を用いてBaTiO₃をMgAl₂O₄上にエピタキシャル成長させた。PFMを用いた測定により面内分極成分の観測に成功し、VSM測定によりCu/Ni多層膜における垂直磁気異方性を観測した。今回の結果は電界駆動による垂直磁化スイッチングデバイスの基盤技術が構築されたことを意味している。