[6a-C14-1~14] 3.13 半導体光デバイス

[6a-C14-13] 薄膜熱伝導減少効果を考慮したVCSEL熱抵抗の数値解析と実験の比較

〇三村 正樹¹、宮本 智之¹ (1.東工大未来研)

キーワード：半導体レーザ、面発光レーザ、光無線給電

光無線給電には，VCSELの高効率・高出力密度化が重要である．これにはデバイス熱抵抗の高精度設計が必要である．熱抵抗は形状と材料熱伝導率から解析できるが，数10 nm厚程度以下の薄膜の熱伝導率は，バルク値の1/2-1/3程度に低下すると報告されている．前回，VCSELの論文事例構造の数値解析から薄膜効果が熱抵抗に大きく影響する可能性を示した．今回，デバイスを製作することで詳細な構造を基に数値解析を行い実験値との比較を行った．