[6a-C14-1~14] 3.13 半導体光デバイス

[6a-C14-4] Si基板上へのPbS系ショートキャビティ中赤外レーザの作製と発光特性評価

〇石田 明広¹、橋口 慎太郎¹、山岸 寿来¹、秋川 弘樹¹、青藤 唯¹、中嶋 聖介¹ (1.静岡大工)

キーワード：中赤外レーザ、IV-VI族半導体、ヘテロエピタキシャル成長

PbS系IV-VI族半導体はオージェ非発光再結合確率が小さく波長2.5～4μmの中赤外領域のレーザとして期待できる。中赤外の波長域には分子の基本振動に起因する様々な気体の吸収帯があり、シングルモードチューナブルレーザは、希薄気体の検出・分析用光源としての応用がある。本研究では、低閾値でCW動作するチューナブルレーザへの応用をめざして、PbS系ショートキャビティレーザをシリコン基板上へ作製したので、その特性について報告する。