[6a-C16-1~9] 17.3 Layered materials

△ [6a-C16-5] Fabrication of MoS₂ monolayer film by CVD method and effect by sulfur annealing

〇Fumiya Uehara¹, Takashi Yanase², Taro Nagahama², Toshihiro Shimada² (1.Hokkaido Univ., 2.Hokkaido Univ..)

Keywords:layered material, Transition metal dichalcogenide, semiconductor

過去の報告からCVD法によって作製されるMoS₂単層膜には硫黄欠陥が生じやすく、それが原因で移動度が低くなっている可能性がある。そこで我々は独自のCVD装置を用いてMoS₂単層膜を作製し、その後硫黄欠陥を減少させるために硫黄アニールを行った。レーザー顕微鏡で観察すると変化が見られ、またPL測定の結果スペクトルがシフトしていることがわかった。