[6a-C16-1~9] 17.3 層状物質

△ [6a-C16-5] CVD法によるMoS₂単層膜の作製と硫黄アニールによる効果

〇上原 史也¹、柳瀬 隆²、長浜 太郎²、島田 敏宏² (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード：層状物質、遷移金属ダイカルコゲナイド、半導体

過去の報告からCVD法によって作製されるMoS₂単層膜には硫黄欠陥が生じやすく、それが原因で移動度が低くなっている可能性がある。そこで我々は独自のCVD装置を用いてMoS₂単層膜を作製し、その後硫黄欠陥を減少させるために硫黄アニールを行った。レーザー顕微鏡で観察すると変化が見られ、またPL測定の結果スペクトルがシフトしていることがわかった。