[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [6a-C17-6] 転位密度の異なるGaN自立基板上PNダイオードのキラー転位解析

〇宇佐美 茂佳¹、福島 颯太¹、安藤 悠人¹、田中 敦之^2,3、永松 謙太郎²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物材機構、4.名大赤﨑記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：pnダイオード、転位、逆方向リーク