[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6a-C17-8] 高感度位相シフト電子線ホログラフィーによるGaInN/GaN量子井戸発光層の電位分布計測

〇山本 和生¹、松本 実子¹、仲野 靖孝¹、高須賀 大貴²、竹内 哲也²、上山 智²、平山 司¹ (1.JFCC、2.名城大)

キーワード：電子線ホログラフィー、窒化物半導体、量子井戸

高性能なGaN系光デバイスを設計／製作するうえで，発光を伴うGaInN/GaN量子井戸層の電位分布を観察／評価することは極めて重要である．今回，我々独自の手法である位相シフト電子線ホログラフィーを用いて，発光層の電位分布を高い空間分解能と感度で計測することに成功したので報告する．