[6a-C24-1~9] 6.6 プローブ顕微鏡

△ [6a-C24-9] AFM/KFM/SCFMによるパワー半導体デバイスの断面構造観察

〇中島 瑞貴¹、内田 悠貴¹、佐藤 宣夫¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大)

キーワード：走査型容量原子間力顕微鏡、パワー半導体デバイス、SiC-power MOSFET

パワー半導体デバイスは，ワイドバンドギャップ半導体材料による高耐圧化のほか，微細加工による多並列化，大規模化，複合化へと進展している．我々は，良好な空間分解能と高感度化を達成した走査型プローブ顕微鏡の複合化（表面形状/表面電位/微分容量)により，パワー半導体デバイスのナノスケール観測に成功した．