The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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1 Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology » 1.2 Education

[6a-PA1-1~25] 1.2 Education

Wed. Sep 6, 2017 9:30 AM - 11:30 AM PA1 (P)

9:30 AM - 11:30 AM

[6a-PA1-15] Implementation of a Schottky barrier diode fabrication experiment for semiconductor education

Toshinori Eko1, 〇Atsushi Utsumi1 (1.NIT, Maizuru College)

Keywords:semiconductor device

半導体デバイスの特性は,材料,形状,周囲温度などによって変化する.これらを理解するためには,学生自身がデバイスを作製し,測定を行う実験実習が有効であると考えられる.これまでに,我々は短時間でかつ低コストで作製できる学生実験用ショットキーバリヤダイオードを開発しており,今回は学生実験に導入した結果について報告する.