[6a-PA9-1~11] 13.3 Insulator technology

[6a-PA9-2] Effects of oxygen radical irradiation on the interface property of Al₂O₃/p-Ge grown by Atomic Layer Deposition

〇Daichi Yamada¹, Yohei Otani¹, Chiaya Yamamoto², Junji Yamanaka², Tetsuya Sato², Hiroshi Okamoto³, Yukio Fukuda¹ (1.Tokyo Univ. of sci.,Suwa, 2.Univ. of Yamanashi, 3.Hirosaki Univ.)

Keywords:ALD, high-k dielectric, MOS capacitor

ポストSi-MOSFETの候補として様々な材料が検討されているが、我々のグループはGe-MIS構造に着目して研究を進めている。一般に、Ge基板上に直接Al₂O₃を形成すると界面欠陥が多いことが知られている。本研究では、Ge基板上にAl₂O₃を形成したのち、酸素ラジカルを照射し、Al₂O₃/Geの界面欠陥の酸素ラジカル照射時間依存性を検討した。