[6a-S21-1~9] 13.10 Compound solar cells

[6a-S21-6] Defect Property Evaluation by Cathodoluminescence Measurement for Cu(In,Ga)Se₂ Solar Cells with Se Irradiation Process

〇(DC)Takahito Nishimura^1,2, HawWen Chen^3,4, Hiroki Sugiura⁴, Kazuyoshi Nakada⁴, Akira Yamada⁴ (1.Dept. of Physical Electronics, Tokyo Tech., 2.JSPS Research Fellow, 3.Dept. of Chemical Engineering, Taiwan Tech., 4.Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Tokyo Tech.)

Keywords:CIGS, cathodoluminescence, defect

これまで本研究グループでは、Cu(In,Ga)Se₂太陽電池の界面品質改善に向けた、CIGS最表面への低Cu組成の異相（Cu欠損層）を導入する為の新たなアプローチとして、CIGS薄膜の作製に用いられる三段階法を改良し、「Se照射時間」を設けることを提案した。今回、カソードルミネッセンス(CL)法により、CIGSへのSe照射時間導入に伴う欠陥特性に関する新たな知見を得たので報告する。